Senis磁场传感器F1A

产品介绍

Senis磁场传感器F1A是一款全集成CMOS单轴霍尔探针传感器，主要用于测量垂直于探针平面的磁场分量，具备高空间分辨率、高频带宽和高抗干扰能力等特性，适用于对磁场测量精度和稳定性要求较高的应用场景。

F1A 磁传感器用霍尔探头 A 是一款非常坚固、单芯片全集成式单轴霍尔探头。它用于测量垂直于探头平面（By）的磁场。

F1A 磁传感器用霍尔探头 A 内置 CMOS 集成电路，其中集成了四个霍尔元件、偏置电路、放大器以及温度传感器。集成霍尔元件的占用面积非常小（0.4 × 0.04 mm²），从而为探头提供了很高的空间分辨率。

在霍尔元件偏置中采用的自旋电流技术，有效压制了平面霍尔效应。芯片上的信号预处理使探头具有很高的频率带宽（直流至75 kHz）；而芯片上的信号放大则为霍尔探头提供了高输出信号。

传感器芯片嵌入探头封装中并连接到 CaH 电缆，这使得该探头在机械和电气方面都非常坚固。芯片粘贴在参考陶瓷板上，以便适当地固定探头。霍尔探头的输出为高电平模拟电压，该电压与测得的磁通密度横向（Y）分量成正比，并包含一个与探头温度成正比的电压分量。

非常坚固的霍尔探头。芯片粘贴在参考陶瓷板上，便于对探头进行稳固安装

全集成CMOS单轴（By）霍尔探头

很高的空间分辨率（0.4 × 0.01 × 0.04 mm³）

高频带宽（直流至75kHz）

几乎不存在平面霍尔效应

探头上的感应环路可忽略不计

探头集成温度传感器，用于温度补偿

F1A磁传感器专用的霍尔探头A是F1A磁场传感器、数字特斯拉计和磁场绘图仪的组成部分（模块H）

适用于Y轴（0Y）霍尔探头

产地	瑞士
量程	±20mT 至 ±20T，能够满足不同磁场强度的测量需求。
带宽	2.5kHz，部分资料指出其高频响应可达75kHz甚至更高，这取决于具体配置和应用场景。高频带宽使得F1A传感器能够捕捉快速变化的磁场信号。
空间分辨率	很高，得益于其很小的霍尔元件面积（例如0.4mm x 0.04mm），F1A传感器具有非常高的空间分辨率，能够准确测量磁场在微小区域内的变化。
抗干扰能力	高，通过芯片上的信号预处理和放大功能，F1A传感器提高了抗电磁干扰能力，确保在复杂电磁环境中也能提供稳定的测量结果。
温度补偿	F1A传感器探头上集成了温度传感器，用于实时监测温度变化并进行补偿，从而提高测量精度和稳定性。
平面霍尔效应	几乎可以忽略不计，这有助于提高测量的准确性。
输出信号	差分电压输出，与Y轴分量的磁感应强度（磁通密度）成比例，同时提供与探头温度成比例的接地参考电压。

磁场测量：F1A传感器适用于需要准确测量磁场强度的应用场景，如电磁铁和磁铁的磁场测量、磁体系统的质量控制和监控等。

科研实验：在实验室研究中，F1A传感器可用于测量非均匀磁通密度、研究磁场与物质的相互作用等。